IRF9530 MOSFET new

Número de Parte: IRF9530
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ – Máxima disipación de potencia: 88 W
|Vds|ⓘ – Voltaje máximo drenador – fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ – Voltaje máximo fuente – puerta: 20 V
|Id|ⓘ – Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ – Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ – Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
Qgⓘ – Carga de la puerta: 38(max) nC
trⓘ – Tiempo de subida: 52 nS
Cossⓘ – Capacitancia de salida: 340 pF
Rds(on)ⓘ – Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
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